Samsung Luncurkan Chip NAND 20nm Pertama

Samsung Chip NAND 20 nm

SEOUL - Samsung telah berhasil menyelesaikan Flash chip memori NAND kelas 20nm. Perusahaan tersebut mengklaim kartu ini memilik memori yang lebih luas dan lebih cepat daripada kartu sejenis generasi sebelumnya.

Kartu NAND 20nm MLC (multi-level cell) memiliki tingkat produktivitas 50 persen lebih tinggi dari kelas 30nm, dan kinerjanya saat 'menulis' juga melebihi NAND 30nm sebesar 30 persen.

Selain itu, menurut Samsung, NAND 20nm NAND juga memiliki kehandalan yang tinggi, setara dengan NAND 30nm. Kartu ini dipercaya akan menaikkan standar kinerja pada smartphone high-density dan aplikasi TI.

"Hanya dalam waktu satu tahun setelah memulai produksi NAND 30nm Samsung telah menyediakan generasi berikutnya node 20nm NAND, yang melebihi kebutuhan kinerja pelanggan yang paling tinggi," jelas Mr Soo-Cho, presiden, Divisi Memori, Samsung Electronics, seperti dikutip Softepedia, Senin (19/4/2010).

"NAND 20nm baru tidak hanya langkah maju yang signifikan dalam proses desain, tapi kami memiliki teknologi canggih dimasukkan ke dalamnya untuk mengaktifkan kinerja inovasi substansial," tambahnya.

Samsung akan menjual kartu tersebut yang mempunyai kapasitas penyimpanan yang berkisar antara 4GB dan 64GB, sedangkan kecepatan akan menjadi 20Mbps ketika membaca dan 10Mbps ketika menulis.
(tyo)